[发明专利]具有荧光特性的稀土配合物插层水滑石及其制备方法无效
| 申请号： | 200510012245.7 | 申请日： | 2005-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1715365A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 段雪;王连英;李仓 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C09K11/77 | 分类号： | C09K11/77 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100029北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有荧光特性的稀土配合物阴离子插层水滑石及其制备方法。稀土配合物阴离子经离子交换进入水滑石层间，构成稀土配合物阴离子占层间阴离子摩尔数总数40－100％的层状材料；稀土配合物插层进入水滑石层间后其发光性能依然保持。本发明的优点在于利用水滑石层状材料的可插层组装性、层板可控和层板结构定位效应，把具有优异光学性能的稀土离子组装进入水滑石层间，实现稀土离子在水滑石层间分子水平上的杂化；同时还调变层板金属，制备得到稀土元素分散均匀、材料粒径可调的有机无机杂化发光材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 荧光 特性 稀土 配合 物插层水 滑石 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有荧光特性的稀土配合物插层水滑石，其特征在于：层间阴离子为NO3-的水滑石前体，稀土配合物阴离子经离子交换取代NO3-进入水滑石层间，构成稀土配合物阴离子占层间阴离子摩尔数总数40～100％的阴离子型超分子层状材料。
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