[发明专利]钙钛矿类氧化物薄膜复合器件无效
| 申请号： | 200510011815.0 | 申请日： | 2005-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1870174A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 丰家峰;赵昆;赵见高;吕惠宾;韩秀峰;詹文山 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G11C11/14 | 分类号： | G11C11/14;H01L27/22;H01L43/08;G11B5/31 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一系列钙钛矿类氧化物薄膜复合器件，是在任意一种现有的衬底上，利用常规的薄膜制备方法和相应的微加工工艺制备而成。其核心结构均包括：一钙钛矿类氧化物层，所述的钙钛矿类氧化物为RE1－xTMxMnO3型氧化物，其中，RE为La或/和Pr、Nd、或Y；TM为Sr或Ca；0＜x＜1.0。这些复合器件充分利用了钙钛矿类氧化物材料特有的电流/电压诱导的电阻效应，使得本发明提供的钙钛矿类氧化物薄膜复合器件的性能优良，在室温和一定的外加电流或电压作用下，可以呈现出很大的电阻相对变化量。完全符合室温下各种传感器、自旋阀开关、随机存取存储器存储单元和其它自旋电子学器件应用的需要，在实际中有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿类 氧化物 薄膜 复合 器件 | ||
【主权项】：
1、一种钙钛矿类氧化物薄膜复合器件，其核心结构包括一衬底，及其上沉积的厚为0.5～2000nm的钙钛矿类氧化物层，钙钛矿类氧化物层的中间部分作为柱状结区，两端作为底电极；所述的钙钛矿类氧化物为RE1-xTMxMnO3型氧化物，其中，RE包括：La或/和Pr、Nd、或Y；TM为Sr或Ca；0＜x＜1.0。
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