[发明专利]沉淀-还原制备纳米钴粉的方法无效
申请号: | 200510011735.5 | 申请日: | 2005-05-18 |
公开(公告)号: | CN1686650A | 公开(公告)日: | 2005-10-26 |
发明(设计)人: | 吴成义;张丽英;林涛;汪莉 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | B22F9/26 | 分类号: | B22F9/26 |
代理公司: | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人: | 刘月娥 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种沉淀-还原制备纳米钴粉的方法,属于金属材料中纳米金属粉末的制备技术领域。采用钴的可溶性盐类的水溶液,与强碱NaOH或KOH的OH-1根离子产生置换反应,制成Co(OH) 2纳米胶体沉淀物,经连续式高速离心机离心分离母液、反复清洗酸根和Na+1离子、同时离心分离排除废液,真空干燥后在连续强排水式还原炉中400~450℃,H2还原制成平均粒径为44.5nm钴粉,颗粒形状为近球形。本发明的优点是工艺流程短,成本低,自动化程度高,适合大规模工业化生产。不可逆比容量,并且工艺简单,成本低,易于实现规模化工业生产。 | ||
搜索关键词: | 沉淀 还原 制备 纳米 方法 | ||
【主权项】:
1、一种沉淀-还原制备纳米钴粉的方法,其特征在于:采用钴的可溶性盐类的水溶液,与强碱NaOH或KOH的OH-1根离子产生置换反应,制成Co(OH)2纳米胶体沉淀物,经连续式高速离心机离心分离母液、反复清洗酸根和Na+1离子、排除废液,真空干燥后在连续强排水式还原炉中400~450℃,H2还原制成平均粒径为44.5nm钴粉,颗粒形状为近球形。
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