[发明专利]铁电薄膜的交变电场热处理方法无效
| 申请号： | 200510010310.2 | 申请日： | 2005-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1765830A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 费维栋;杨帆 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/64 | 分类号： | C04B35/64;C04B41/80;C04B35/472;C04B35/491 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 王吉东 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 铁电薄膜的交变电场热处理方法，具体涉及一种用于降低铁电陶瓷薄膜残余应力的热处理方法，它是为了解决现有的基底为Pt/Ti/SiO2/Si的铁电薄膜中存在较高的残余应力，以及选择用单晶体基底沉积外延铁电薄膜减小残余应力时材料成本高的问题。本发明的方法是：一、在Pt/Ti/SiO2/Si基底上沉积铁电薄膜材料，并进行高温退火结晶，形成铁电薄膜1；二、将所述铁电薄膜1进行二次退火，并在所述二次退火过程中引入交变电场。本发明的交变电场热处理方法针对居里温度为300℃～800℃的铁电陶瓷薄膜材料，它可以降低基底为Pt/Ti/SiO2/Si的铁电薄膜中的残余应力，并且工艺步骤简单、易操作、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 交变电场 热处理 方法 | ||
【主权项】：
1、铁电薄膜的交变电场热处理方法，它按以下步骤进行：一、在Pt/Ti/SiO2/Si基底上沉积铁电薄膜材料，并进行高温退火结晶，形成铁电薄膜(1)；二、将所述铁电薄膜(1)进行二次退火，其特征在于在步骤二的所述二次退火过程中引入交变电场，所述交变电场的作用方向与所述铁电薄膜(1)的膜面垂直，并且所述铁电薄膜(1)的膜面朝上并与交变电场发生装置的上极板(2-1)保持隔离状态。
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