[发明专利]栅极结构、具有栅极结构的半导体器件及形成栅极结构和半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200510009531.8 | 申请日： | 2005-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1658401A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 尹在万;朴东健;李忠浩;吉田诚;李哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种MOS晶体管，该MOS晶体管包括在垂直方向上从半导体衬底延伸的栅极结构。该栅极结构包括在垂直方向上从衬底延伸的栅电极，以及包围栅电极的绝缘层。沟道图形包围栅绝缘层，以及第一导电图形在垂直于沟道图形并平行于衬底的第一方向上从沟道图形的下部延伸。第二导电图形在垂直于沟道图形并平行于衬底的第二方向上从沟道图形的上部延伸。由此，根据第一和第二导电图形之间的距离，决定MOS晶体管的沟道长度，以及通过栅极结构的直径决定MOS晶体管的沟道宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 具有 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种栅极结构，包括：形成在衬底上的栅电极，该栅电极包括导电材料；以及包围栅电极的侧表面的栅绝缘层。
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