[发明专利]发光二极管无效

专利信息
申请号: 200510009146.3 申请日: 2005-02-03
公开(公告)号: CN1652366A 公开(公告)日: 2005-08-10
发明(设计)人: 深泽孝一 申请(专利权)人: 西铁城电子股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;G02B6/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的发光二极管包括:形成有芯片焊接图案和电极端子的芯片基板、安装在该芯片基板上的LED芯片、以包围该LED芯片的周围的方式配设在上述芯片基板上、且在侧壁的一部分以及上面具有开口部的反射框体、在该反射框体的侧壁的内周面形成的反射面、形成在上述反射框体内并以上述侧壁的开口部作为光射出部的透光树脂体、以及覆盖在上述反射框体的上面露出的透光树脂体的反射膜;通过上述反射框体的反射面及反射膜反射从上述LED芯片发出的光,并使其从上述光射出面向外部射出。具有这种结构的侧面发光型发光二极管,在能够实现适合表面安装的超薄化的同时、还可以有效地向液晶面板的侧面这样的厚度小的面上照射光。
搜索关键词: 发光二极管
【主权项】:
1.一种发光二极管,其特征在于,具有:形成有芯片焊接图案以及电极端子的芯片基板;安装在该芯片基板上的至少一个LED芯片;以包围该LED芯片的周围的方式配设在上述芯片基板上、且在侧壁的一部分以及上面具有开口部的反射框体;形成在该反射框体的侧壁内周面上的反射面;形成在上述反射框体内、以上述侧壁的开口部作为光射出面的透光树脂体;以及,覆盖在上述反射框体的上面露出的透光树脂体的反射膜,从上述LED芯片发出的光被上述反射框体的反射面以及反射膜反射,从上述光射出面向外部射出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西铁城电子股份有限公司,未经西铁城电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510009146.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top