[发明专利]光照射装置及方法、结晶装置及方法、设备和光调制元件无效
| 申请号： | 200510009069.1 | 申请日： | 2005-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1658373A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 谷口幸夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/324;H01L21/00;G02F1/00;G02F1/133 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种光照射装置包括光调制元件(1)，调制入射光束的相位以便获得具有最小光强的底部的V形光强分布，以及成像光学系统(3)，以在照射目标表面上提供V形光强分布的方式，将所调制的光束从光调制元件施加到照射目标表面(4)上。光调制元件具有一复振幅透射率分布，使在成像光学系统的图像空间中，在V形光强分布的底部处，复振幅分布的相位值的二次导数基本上变为零。 | ||
| 搜索关键词： | 照射 装置 方法 结晶 设备 调制 元件 | ||
【主权项】：
1.一种光照射装置，其特征在于包括：光调制元件，调制入射光束的相位以便获得具有最小光强的底部的V形光强分布；以及成像光学系统，以在照射目标表面上提供所述V形光强分布的方式，将所调制的光束从所述光调制元件施加到所述照射目标表面上，其中，所述光调制元件具有这样一复振幅透射率分布，使得在所述成像光学系统的图像空间中，在所述V形光强分布的底部处，复振幅分布的相位值的二次导数基本上变为零。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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