[发明专利]用于制造场效应晶体管门极结构的工艺整合的组合工具和方法无效
| 申请号： | 200510008540.5 | 申请日： | 2005-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN1728340A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 爱翠·库玛;瑞麦希·奎许纳穆 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/66;H01L21/335;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制造场效应晶体管门极结构的工艺整合的方法和设备，该方法包括装配一整合基板加工系统(integrated substrate processing system)，该系统包括一测量模块和一真空加工平台，以完成受控和自适应等离子工艺，而不将基板暴露于非真空环境。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 场效应 晶体管 结构 工艺 整合 组合 工具 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有高介质常数门极电介质的场效应晶体管门极结构的方法，其特征在于，该方法包括：(a)测量门极结构的模制光刻胶掩模修整前的尺寸以确定修整工艺；(b)修整模制光刻胶掩模到预先设定的宽度；(c)在整模制光刻胶掩模的底部形成硬掩模，该硬掩模包含布置在具有α-碳的薄膜上的一防反射涂层；(d)使用等离子蚀刻工艺形成高介质常数的门极电介质层来制造门极结构；(e)测量门极结构尺寸，以调整修整工艺；以及(f)在单一组合工具中，执行步骤(a)-(e)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
