[发明专利]半导体发光元件与保护元件的复合半导体装置有效
申请号: | 200510008142.3 | 申请日: | 2005-02-02 |
公开(公告)号: | CN1652346A | 公开(公告)日: | 2005-08-10 |
发明(设计)人: | 佐藤纯治;大塚康二;杢哲次;加藤隆志;丹羽爱玲;神井康宏 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一直以来难以实现发光元件与保护元件的复合半导体装置的小型化。因而,本发明的复合半导体装置包括硅半导体衬底(1)、发光元件用的主半导体区(2)、第一电极(3)和第二电极(4)。硅半导体衬底(1)有保护元件形成区(7)。第一电极(3)有焊接焊盘部分(20)。从水平看时,保护元件形成区(7)配置在焊接焊盘部分(20)的内侧。第一电极(3)的焊接焊盘部分(20)和第二电极(4)用作发光元件和保护元件这两个的电极。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 保护 复合 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体发光元件与保护元件的复合半导体装置,其特征在于包括:具有一个主面和另一主面且具有导电性的衬底;具有可取出光的第一主面和与所述第一主面相对且与所述衬底的所述一个主面电气连接以及机械连接的第二主面并包含构成半导体发光元件的多个半导体层的主半导体区;具有与所述主半导体区的所述第一主面接触且可以取出从所述主半导体区发射的光的第一部分和与所述第一部分相连且有焊盘电极功能的第二部分的第一电极;与所述衬底相连的第二电极;以及在所述第一电极的所述第二部分和所述衬底另一主面之间配置且将所述第一电极和所述第二电极之间电连接的保护元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三垦电气株式会社,未经三垦电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510008142.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:移动IP系统中的PPP链路协商
- 下一篇:盐酸纳曲酮组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的