[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，此方法先提供一包括有存储单元区与高压电路区的基底。然后，在基底的两个区域中形成第一、第二源极/漏极区。接着，在基底上依序形成氧化层、第一导电层以及顶盖层。之后，于存储单元区中定义出浮置栅极，并移除高压电路区中的顶盖层与第一导电层。接下来，增厚暴露出来的氧化层。继而，移除顶盖层，再于暴露的浮置栅极表面形成阻挡层。之后，在基底上形成第二导电层，并且于高压电路区中定义出栅极，于存储单元区中定义出控制栅极。本发明将存储单元与高压元件的工艺结合在一起的方法不需增加光致抗蚀剂数，因此能缩短制造流程，降低制造成本。

主权项

1、一种半导体元件的制造方法，包括：提供一基底，该基底包括有一存储单元区以及一高压电路区；在该存储单元区的该基底中形成一第一源极/漏极区，并且在该高压电路区的该基底中形成一第二源极/漏极区；在该基底上依序形成一氧化层、一第一导电层以及一顶盖层；图案化该顶盖层以及该第一导电层，以于该存储单元区中定义出一浮置栅极，并移除该高压电路区中的该顶盖层与该第一导电层；进行一氧化工艺，以使暴露出的该氧化层增厚；移除该顶盖层；在暴露的该浮置栅极表面形成一阻挡层；在该基底上形成一第二导电层，覆盖住该氧化层以及该阻挡层；以及图案化该第二导电层，以于该高压电路区中定义出一栅极，并于该存储单元区中定义出一控制栅极。