[发明专利]晶片的分割方法有效
| 申请号: | 200510008081.0 | 申请日: | 2005-02-16 |
| 公开(公告)号: | CN1655327A | 公开(公告)日: | 2005-08-17 |
| 发明(设计)人: | 永井佑介;中村胜;小林贤史 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪斯科 |
| 主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/78 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供晶片的分割方法,包括:保护部件粘合工序,在晶片的表面粘合保护部件;研磨工序,研磨在表面粘合了保护部件的晶片的背面;变质层形成工序,从晶片的背面侧沿分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线,在晶片的内部沿分割预定线形成变质层;粘接片粘合工序,在晶片的背面粘合粘接片;框架保持工序,将晶片的粘接片侧,粘合在安装于环状框架的切片胶带上;分割工序,沿晶片的形成了变质层的分割预定线赋予外力,分割成单个芯片;扩张工序,将粘合了晶片的切片胶带扩张,扩宽各芯片间的间隔,由此断开粘接片;及拾起工序,从被扩张的切片胶带,将在背面粘合了粘接片的各芯片拾起。 | ||
| 搜索关键词: | 晶片 分割 方法 | ||
【主权项】:
1、一种晶片的分割方法,将在由在表面成格子状地形成的分割预定线区分的区域设置了功能元件的晶片,沿分割预定线分割,其特征在于包括以下工序:保护部件粘合工序,在晶片的表面粘合保护部件;研磨工序,对在表面粘合了保护部件的晶片的背面进行研磨;变质层形成工序,从被研磨加工了的晶片的背面侧沿着分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线,在晶片的内部沿着分割预定线形成变质层;粘接片粘合工序,在沿着分割预定线形成了变质层的晶片的背面,粘合用于粘片的粘接片;框架保持工序,将粘合了粘接片的晶片的该粘接片侧,粘合在安装于环状框架的切片胶带上;分割工序,沿着被保持在框架上的晶片的形成了变质层的分割预定线赋予外力,将晶片沿着分割预定线分割成单个芯片;扩张工序,将粘合了被分割成单个芯片的晶片的切片胶带扩张,扩宽各芯片间的间隔,由此断开该粘接片;及拾起工序,从被扩张的切片胶带,将在背面粘合了该粘接片的各芯片拾起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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