[发明专利]具有薄膜晶体管的器件无效
| 申请号： | 200510008062.8 | 申请日： | 1994-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1645198A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 宫永昭治;大谷久;寺本聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133;G02F1/136;H01L27/02;H01L29/786;G09G3/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在非晶硅膜中引入一种或多种选自III、IV或V族的元素，然后在600℃或更低的温度下加热晶化。在平行于基片的方向上，晶体在已引入元素的区域生长。在结晶半导体层的一个部位，按以下方式形成半导体器件的有源区，即根据所期望的有源区迁移率，来选取晶体生长方向与器件电流方向之间的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 薄膜晶体管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种有源矩阵显示器件，其具有在基片上形成的象素电路和驱动电路，该驱动电路包括：串接的第一TFT和第二TFT，各TFT具有一半导体膜、在半导体膜上的一栅绝缘膜及在该栅绝缘膜上的一栅绝缘膜；在半导体膜中形成的一对杂质区；在第一TFT和第二TFT上形成的一绝缘膜；在该绝缘膜中形成的一接触孔；以及一布线，其在该绝缘膜上形成，并经所述接触孔电连接到所述第一TFT中所述一对杂质区之一和所述第二TFT中所述一对杂质区之一，其中，所述半导体膜包括至少一个晶界，该晶界在基本上平行于要通过所述第一TFT和所述第二TFT中每一个的电流的方向上延伸。
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