[发明专利]低介电常数层间介质薄膜及其形成方法有效
| 申请号： | 200510008055.8 | 申请日： | 2002-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1644753A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | J·L·文森特;M·L·奥内尔;小H·P·威瑟斯;S·E·贝克;R·N·弗蒂斯 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C08L83/04;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段晓玲 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成低介电常数层间介质薄膜的方法，该方法包括在足以在基片上沉积薄膜的化学气相沉积条件下，使包括一种或多种有机硅化合物的有机硅前体，任选与一种或多种其他反应物质一起发生反应，以形成介电常数为3.5或更低的层间介质薄膜，所述有机硅化合物含一个或多个选自C2－C10环氧化物、C2－C8羧酸酯、C2－C8炔烃、C4－C8二烯烃、C3－C5张力环基团和C4－C10基团的活性侧基，这些侧基能在空间上阻碍或拉紧有机硅前体。本发明也涉及由上述方法形成的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 介质 薄膜 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成低介电常数层间介质薄膜的方法，该方法包括在足以在基片上沉积薄膜的化学气相沉积条件下，使包括一种或多种有机硅化合物的有机硅前体，任选与一种或多种其他反应物质一起发生反应，以形成介电常数为3.5或更低的层间介质薄膜，所述有机硅化合物含一个或多个选自C2-C10环氧化物、C2-C8羧酸酯、C2-C8炔烃、C4-C8二烯烃、C3-C5张力环基团和C4-C10基团的活性侧基，这些侧基能在空间上阻碍或拉紧有机硅前体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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