[发明专利]制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200510007961.6 | 申请日： | 2005-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1658376A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 拉梅什·卡卡德 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/20;H01L21/336;H01L21/00;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 贾静环;宋莉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造多晶硅薄膜的方法，其制造用于制成薄膜晶体管的多晶硅薄膜。该方法包括在基材上沉积包含非晶硅的硅薄膜，并且在预定温度下和H2O气氛中对硅薄膜进行热处理。因此，当通过固相结晶法结晶非晶硅时，降低了结晶温度和热处理时间，并且由于在高温下热处理较长时间，这可以防止基材弯曲。作为本发明的结果，可以获得具有优越结晶特性的多晶硅薄膜。在薄膜晶体管中使用多晶硅薄膜导致薄膜电阻器中缺陷的减少。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 多晶 薄膜 方法 使用 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种制造多晶硅薄膜的方法，其包括下列步骤：在基材上沉积包含非晶硅的硅薄膜；以及在H2O气氛中和预定温度下对硅薄膜进行热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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