[发明专利]电阻值计算方法无效
| 申请号： | 200510007078.7 | 申请日： | 2005-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1654967A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 平野将三;岛崎健二 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;G01R31/00;G06F17/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据半导体集成电路的掩模布图信息(31)，分别对电源配线的电阻值(Rline)、去耦电容的电阻值(Rcap)、及晶体管的电阻值(Rmos)进行计算。根据电源配线的电阻值(Rline)、去耦电容的电阻值(Rcap)及晶体管的电阻值(Rmos)，对外部端子间的电阻值(Ri)进行计算。从而能够以比现有技术更高的精度、更短的时间，对半导体集成电路的内部电阻值进行计算。 | ||
| 搜索关键词： | 阻值 计算方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻值计算方法，是对一种半导体集成电路的内部电阻值进行计算的方法，该半导体集成电路具备：分别与第1及第2外部端子电连接的第1及第2电源配线；和分别连接于所述第1及第2电源配线之间、具有晶体管或者去耦电容的多个单元；其特征在于，具备：由所述半导体集成电路的掩模布图信息，对是所述第1及第2电源配线的电阻值的第1电阻值进行计算的第1工序；和由所述掩模布图信息，对是所述多个单元具有的去耦电容的电阻值的第2电阻值进行计算的第2工序；和由所述掩模布图信息，对是所述多个单元具有的晶体管的电阻值的第3电阻值进行计算的第3工序；和由所述第1～第3工序中分别得到的所述第1～第3电阻值，对所述第1及第2外部端子间的电阻值进行计算的第4工序。
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