[发明专利]接触空穴、半导体器件、液晶显示器及EL显示器的制法有效
| 申请号： | 200510006162.7 | 申请日： | 2005-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN1649096A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 藤井严;城口裕子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H05B33/10;G02F1/133 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华;庞立志 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在通过制造半导体器件的常规步骤形成接触孔时，要求在基片几乎整个表面上形成一层光致抗蚀剂，而使之涂在除待形成接触空穴的区域以外的薄膜上，从而使处理能力急剧下降。按照本发明形成接触空穴的方法及制造半导体器件、EL显示器及液晶显示器的方法，是在半导体层、导电层或绝缘层上选择性地形成一层岛形有机薄膜，并沿该岛形有机薄膜形成一层绝缘膜以形成接触空穴。因此，不需要利用光致抗蚀剂的常规构成图案，可以达到高处理能力及低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 空穴 半导体器件 液晶显示器 el 显示器 制法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在基片形成一层有机薄膜；在该有机薄膜上待形成接触空穴的区域形成一种掩模图案；利用该掩模图案作为掩模，使此有机薄膜构成一种岛形图案；除去此掩模图案；沿此岛形有机薄膜形成一层绝缘膜；通过除去此岛形有机薄膜形成一种接触空穴；及在此接触空穴中形成一种导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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