[发明专利]干蚀刻装置及干蚀刻方法无效
| 申请号： | 200510006150.4 | 申请日： | 2005-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN1649105A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 及川弘太 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的蚀刻装置，具有：反应室(1)；设置在反应室(1)的底面部的下部电极(2)；设置在顶部，与下部电极(2)相对的上部电极(10)；设置在下部电极(2)上，旨在保持被处理基板(3)的具有空洞的聚焦环(8)。在上部电极(10)的下面的中心部，设置着内径比被处理基板(3)的直径小的凹部。这样，就可以在被处理基板(3)的中心部，在产生等离子体时，减少等离子体再射入的量。所以，就能够不成为喇叭状地以所需的形状形成被处理基板(3)的中心部的孔等。从而即使在电极间隔狭窄的蚀刻装置中，也能获得所需的形状尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种干蚀刻装置，其特征在于，具有：反应室；在所述反应室内设置的下部电极；在所述反应室内与所述下部电极相对设置的上部电极；以及可以将被处理基板固定在环的内侧的基板固定部件，其中，所述环设置在所述反应室内所述下部电极的面中的与所述上部电极相对的面之上，在所述上部电极的面中的与所述下部电极相对的面上，设置着内径比所述基板固定部件的内径小的凹部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
