[发明专利]一种锑化镓纳米半导体溶剂热共还原制备方法

摘要

本发明公开了一种采用溶剂热共还原方法制备了半导体锑化镓纳米粉末，原料选取GaCl₃，SbCl₃，适当还原剂和有机溶剂，在高压釜中反应，温度范围120～350℃，时间范围10～60小时，然后冷却、过滤、洗涤、干燥，成功制得无团聚，分散均匀的纳米GaSb粉末。本发明原料简单，仅需GaCl₃，SbCl₃，适当还原剂和有机溶剂即可。避免了复杂金属有机化合物前驱物和剧毒锑化氢气体，可实现工艺清洁化目标。条件缓和，设备简单，反应一般只需控制温度在300℃以下，使反应温度大大降低，而且反应体系中无须绝对无水无氧操作，从而大大简化实验设备和操作过程。

主权项

1.一种锑化镓纳米半导体溶剂热共还原制备方法，其特征在于采用下述步骤：将分析纯GaCl3、SbCl3还原剂与有机溶剂混合，并转移至高压釜，然后将还原剂加入反应釜，高压釜置于烘箱中，保持温度在120～350℃之间，时间在10～60小时之内，然后冷却至室温，将反应混合物过滤；所得沉淀依次用二甲苯、无水乙醇、1摩尔稀盐酸和无水乙醇各洗三次；最后黑色粉末在真空干燥器中40℃干燥4小时，即得产物GaSb纳米粉末。