[发明专利]半导体晶片的制造方法有效
| 申请号： | 200510005662.9 | 申请日： | 2005-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1649103A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 贡特尔·卡恩;曼弗雷德·图尔纳;卡尔－海因茨·瓦扬德;阿明·德塞尔;马库斯·施纳普奥夫 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘兴鹏 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种供有抛壳流体、在持续一抛光时间的抛光周期内、于转动抛光盘的间同时抛光半导体晶片正面及背面以制造半导体晶片的方法，该半导体晶片位于一支座的切除部内且固定于一既定的几何路线上，该支座具有既定的支座厚度，该半导体晶片具有抛光前的起始厚度及抛光后的最终厚度，其中该抛光所需的抛光时间是由若干数据计算得来，这些数据包含：起始厚度及支座厚度以及于当前抛光周期之前的上一抛光周期内被抛光的半导体晶片的起始厚度、最终厚度及平面度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种供有抛光流体、在持续一抛光时间的抛光周期内、于转动抛光盘之间同时抛光半导体晶片正面及背面以制造半导体晶片的方法，该半导体晶片位于一支座的切除部内且固定于—既定的几何路线上，该支座具有既定的支座厚度，该半导体晶片具有抛光前的起始厚度及抛光后的最终厚度，其中该抛光周期的抛光时间是由若干数据计算得来，这些数据包含：半导体晶片的起始厚度及支座厚度以及于当前抛光周期之前的上一抛光周期内被抛光的半导体晶片的起始厚度、最终厚度及平面度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
