[发明专利]非易失性存储装置中形成栅电极的方法有效
| 申请号： | 200510005527.4 | 申请日： | 2005-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1750235A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 李炳锡 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种形成非易失性存储装置的栅电极的方法。根据本发明，在用于确定栅电极的栅电极蚀刻工艺中，该蚀刻步骤是通过选择性添加含碳附加气体来执行的。其可防止在蚀刻浮动栅时在控制栅的侧壁上形成底切。因此可形成具有垂直轮廓的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 形成 电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成非易失性存储装置的栅电极的方法，包括以下步骤：(a)提供半导体衬底，其中形成隧道氧化膜、作为浮动栅的第一多晶硅膜、介电膜以及作为控制栅的第二多晶硅膜；(b)执行第一蚀刻工艺，其中将含碳附加气体添加于主要蚀刻气体中，从而对部分该第二多晶硅膜、该介电膜和该第一多晶硅膜构成图案；及(c)阻断附加气体的供应，并且然后执行仅使用主要蚀刻气体的第二蚀刻工艺，由此对第一多晶硅膜和保持未被构成图案的隧道氧化膜构成图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510005527.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：纺织增强材料与橡胶之间的粘合
- 下一篇：燃油的改善
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
