[发明专利]制造自对准纳米柱形空气桥的方法以及由之制造的结构

摘要

本发明涉及制造自对准纳米柱形空气桥的方法以及由之制造的结构，尤其是一种自衬底上制造低k、超低k和极低k多层互连结构的方法，其中，用电介质将互连线路结构在横向上隔离开，所述电介质具有竖直取向的纳米级空隙，这些空隙是通过使用底层光刻构图和蚀刻技术穿透所述电介质，并用电介质淀积步骤封闭穿透孔的顶部而形成的。这些线路由下方的实心的或者被构图的电介质结构支持。该方法避免了在制造导体图案之后与空气隙的形成有关的问题，以及与传统的低k、超低k和极低k电介质的集成有关的问题，在形成所述互连图案之前，所述电介质具有空隙度。

主权项

1.一种制造纳米柱形空气桥结构的方法，包括下述步骤：在衬底表面上形成至少一种电介质的层；形成一组线槽，槽底表面在所述电介质层中，所述线槽中最接近的线槽隔开一个基本规则距离；将纳米级图案转移到包含所述线槽的电介质中；在所述电介质层的表面上淀积桥层，以形成相邻线路之间的机械连接；在所述线槽内形成一组穿过所述电介质层的通孔；对所述通孔和线槽淀积一个里衬层；用导电填充金属填充所述通孔和线槽，以形成一组金属线；通过抛光将所述金属线和里衬层平面化，使得所述金属与所述桥层的顶部共面；以及用电迁移和/或扩散阻挡层覆盖所述金属线，以形成所述纳米柱形空气桥结构。