[发明专利]半导体装置

摘要

只用CMOS器件置换用于存储器的冗余救济的已有的熔丝元件，就能够不需要物理加工地利用上层配线，具有面积上的优点。但是，存在着在半导体装置的设计上，因为为了改写需要在CMOS器件上加上高电压，所以使配线和半导体电路的配置受到制约那样的问题。因此，通过在配置在芯片周边部分的IO模块之间，配置备有由CMOS器件构成的非易失性存储元件的非易失性半导体存储电路，原封不动地保持通过用CMOS器件置换已有的熔丝元件而不需要物理加工能够利用上层配线的面积上的优点，能够解决考虑到加上高电压引起的配置上的问题。

主权项

1.一种半导体装置，该半导体装置将下述非易失性半导体存储电路配置在上述多个IO模块之间，其特征在于：它备有，配置在芯片中央部分的半导体存储电路；配置在芯片周边部分，输入输出各个信号、供给电位或接地电位的多个IO模块；和用于上述半导体存储电路的冗余救济功能的非易失性半导体存储电路；上述非易失性半导体存储电路具有，由可以电读写的CMOS器件构成的非易失性存储元件；输出控制与地址信号相应地到上述非易失性存储元件的写入的控制信号的控制电路；用于将上述地址信号输入到上述控制电路的地址信号线；输入与上述控制信号同步地写入到上述非易失性存储元件的数据的输入数据线；和将写入到上述非易失性存储元件的数据输出到上述半导体存储电路的输出数据线。