[发明专利]调准方法、半导体装置的制造方法、半导体装置用基板、电子设备无效
| 申请号： | 200510004240.X | 申请日： | 2005-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1645562A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 汤田坂一夫;田中英树 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/336;H01L21/208;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在使用液相工艺制造器件时适用的调准方法。在包含使用液相法以在基板上形成功能膜的工序的器件的制造过程中，在形成所述功能膜(12)的基板(10)上，形成相对于在所述功能膜(12)之后形成的膜(13)显示形状的调准标记(AM1)，并使用该调准标记(AM1)对所述功能膜(12)之后的膜(13)进行调准。 | ||
| 搜索关键词： | 调准 方法 半导体 装置 制造 用基板 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种调准方法，在制造器件的过程中包含使用液相法在基板上形成功能膜的工序，其特征在于，在形成所述功能膜的基板上形成对于在所述功能膜之后形成的膜显示形状的调准标记，使用该调准标记对所述功能膜之后的膜进行调准。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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