[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种在缩小半导体装置的情况下，能进行介由接触孔连接的配线的更稳定的电连接的半导体装置及其制造方法。以以下的形态形成第2电极(14)：介由形成于第1电极(12)表面上的绝缘膜(13)，其一部分在第1电极(12)间，其他部分重叠在第1电极(12)上方的方式并设，其上面介由接触孔(15a)和上层配线连接。而且，在将形成于第1电极(12)与第2电极(14)之间的绝缘膜(13)的膜厚设为t1，将形成于第1电极(12)的第2电极(14)的膜厚设为t2，将这些第1电极的并设间隔设为S时，设定为「S＜(2t1+2t2)」的关系。

主权项

1、一种半导体装置，其中包括：介由半导体基板上的绝缘层，隔规定间隔并设的多个第一电极；介由形成于该第一电极表面上的绝缘膜，以一部分在这些第一电极之间、其他部分在这些第一电极上方重叠的形态并设，其上表面介由接触孔连接在配线上的第二电极；其特征在于，在设形成于所述第一电极与所述第二电极之间的绝缘膜的膜厚为t1、形成在所述第一电极上方的所述第二电极的膜厚为t2时，将所述多个第一电极的并设间隔设为S时，设定为S＜(2t1+2t2)的关系。