[发明专利]通过体偏压调节器减小的栅极电压限制有效
| 申请号： | 200510004199.6 | 申请日： | 2005-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN1652465A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 柳赫株;姜熙晟;金景洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/00 | 分类号： | H03K19/00;H03K19/0948 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;马莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于减小对动态阈值MOS(DTMOS)晶体管的栅极电压(Vgg)幅度的限制的配置，该配置可以包括：包含栅极和主体的MOS晶体管；以及体偏压(Vbb)调节器(Vbb调节器)电路，用于将该MOS晶体管的经过调整的Vgg作为动态体偏压(Vbb)提供给该MOS晶体管的主体。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 偏压 调节器 减小 栅极 电压 限制 | ||
【主权项】：
1.一种用于减小对动态阈值MOS(DTMOS)晶体管的栅极电压(Vgg)幅度的限制的配置，该配置包括：包含栅极和主体的MOS晶体管；以及体偏压(Vbb)调节器(Vbb调节器)电路，用于将该MOS晶体管的经过调整的Vgg作为动态体偏压(Vbb)提供给该MOS晶体管的主体。
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