[发明专利]液晶显示组件的铜导线结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200510004186.9 | 申请日： | 2005-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN1632678A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 刘祐玮;蔡文庆;黄国有;林惠芬 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种铜导线结构，应用在一LCD组件中，铜导线结构至少包括一图案化铜导线层(Patterned Copper Layer)，形成于一玻璃基板上；一阻障层(Barrier Layer)，形成于图案化铜导线层上方，且阻障层的材料至少含有氮或磷其中之一；或是一合金材料化学式为M1M2R，其中，M1为钴(Co)或钼(Mo)，M2为钨(W)、钼(Mo)、铼(Re)或钒(V)，R为硼(B)或磷(P)。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶显示 组件 导线 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铜导线结构，应用在一薄膜晶体管液晶显示组件中，该铜导线结构至少包括：一图案化铜导线层，形成于一玻璃基板上；一阻障层，形成于该图案化铜导线层上方，且该阻障层的材料至少含有氮或磷其中之一，或是一合金材料化学式为M1M2R，M1为钴(Co)或钼(Mo)，M2为钨(W)、钼(Mo)、铼(Re)或钒(V)，R为硼(B)或磷(P)。
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