[发明专利]光罩与应用其形成多晶硅层的方法有效
| 申请号: | 200510004161.9 | 申请日: | 2005-01-12 |
| 公开(公告)号: | CN1632696A | 公开(公告)日: | 2005-06-29 |
| 发明(设计)人: | 孙铭伟 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;G03F7/00;H01L21/00 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 任永武 |
| 地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种光罩包括一第一区域、一第二区域、一第三区域及一第四区域。第一区域具有数个第一条状不透光区及数个第一条状间隙,它们相互平行且交错排列。第二区域具有数个第二条状不透光区及数个第二条状间隙,它们呈平行且交错排列,第二和第一条状间隙相互平行。第三区域位于第一区域及第二区域之间,并具有数个第三条状不透光区及数个第三条状间隙,后两者呈平行且交错排列,第三与第一条状间隙相垂直或相对倾斜一角度。第四区域位于第二区域及第三区域之间,并具有数个第四条状不透光区及数个第四条状间隙后两者相互平行且交错排列,第四条与第三条状间隙平行。形成多晶硅层的方法包括在一基板上形成一非晶硅层;接着,利用光罩进行连续侧向长晶。 | ||
| 搜索关键词: | 应用 形成 多晶 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光罩,包括:一第一区域及一第二区域,分别形成于该光罩的两端,并分别具有复数个大体上相互平行且朝向一第一方向的第一条形间隙及第二条形间隙;以及一第三区域及一第四区域,分别形成于该第一区域与该第二区域之间,并分别具有复数个大体上相互平行且朝向一第二方向的第三条形间隙及第四条形间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510004161.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种伸缩封闭式尿液采集装置
- 下一篇:一种柔性光学传感器的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





