[发明专利]光罩与应用其形成多晶硅层的方法有效

专利信息
申请号: 200510004161.9 申请日: 2005-01-12
公开(公告)号: CN1632696A 公开(公告)日: 2005-06-29
发明(设计)人: 孙铭伟 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G03F1/08 分类号: G03F1/08;G03F7/00;H01L21/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 任永武
地址: 台湾省新竹科学*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种光罩包括一第一区域、一第二区域、一第三区域及一第四区域。第一区域具有数个第一条状不透光区及数个第一条状间隙,它们相互平行且交错排列。第二区域具有数个第二条状不透光区及数个第二条状间隙,它们呈平行且交错排列,第二和第一条状间隙相互平行。第三区域位于第一区域及第二区域之间,并具有数个第三条状不透光区及数个第三条状间隙,后两者呈平行且交错排列,第三与第一条状间隙相垂直或相对倾斜一角度。第四区域位于第二区域及第三区域之间,并具有数个第四条状不透光区及数个第四条状间隙后两者相互平行且交错排列,第四条与第三条状间隙平行。形成多晶硅层的方法包括在一基板上形成一非晶硅层;接着,利用光罩进行连续侧向长晶。
搜索关键词: 应用 形成 多晶 方法
【主权项】:
1.一种光罩,包括:一第一区域及一第二区域,分别形成于该光罩的两端,并分别具有复数个大体上相互平行且朝向一第一方向的第一条形间隙及第二条形间隙;以及一第三区域及一第四区域,分别形成于该第一区域与该第二区域之间,并分别具有复数个大体上相互平行且朝向一第二方向的第三条形间隙及第四条形间隙。
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