[发明专利]半导体集成电路器件

摘要

目的在于节省半导体集成电路2A中由于漏电流而增加的功耗，该漏电流由生产加工、温度和电源电压的变化所造成。设有半导体集成电路2A、漏电流检测电路3、比较操作电路4和施加电压输出电路5A。半导体集成电路2A具有包括进行预定功能操作的多个功能MOSFET的电路体21、以及包括监视功能MOSFET的特性的多个监视(monitor)NMOSFET23的监视电路22A。漏电流检测电路3检测对应于来自多个监视NMOSFET 23的漏电流的泄漏数据。比较操作电路4从多段泄漏数据中提取使电路体21的漏电流最小化的一段泄漏数据。施加电压输出电路5A基于该施加电压数据而设定。

主权项

1.一种半导体集成电路器件包括：半导体集成电路，包括：电路体，其具有进行预定功能操作的多个功能MOSFET；和监视电路，其包括监视所述功能MOSFET特性的多个监视MOSFET；漏电流检测电路，其检测来自监视MOSFET的漏电流，并将所述检测到的漏电流作为泄漏数据而输出；比较操作电路，其从多段所述泄漏数据中提取使来自所述电路体的漏电流最小化的一段泄漏数据，并将所述提取的泄漏数据作为施加电压数据而输出；和施加电压输出电路，其基于所述施加电压数据而设定施加于所述功能MOSFET的电压，并输出所述设定的电压。