[发明专利]利用空气填充降低介电常数的大马士革结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200510003374.X | 申请日： | 2005-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1996589A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海市张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明通过优化半导体器件金属互联的设计布局，预留可形成气体填充结构的区域，在完成铜后道金属互联工艺后，对芯片的上述区域进行光刻，刻蚀工艺操作，完成气体空腔的制造。随后采用多重填涂并每次填涂后伴随烘烤利用钝化光敏有机材料进行有空填涂，降低了半导体结构的整体介电常数，从而实现空气填充大马士革结构。在降低整体器件的介电常数的同时并没有增加工艺的复杂性，兼顾了器件的坚固性和稳定性的表现。此外，涂布于器件表面的钝化光敏有机材料还可以起到保护器件防止紫外线、宇宙粒子损伤的功能，同时可以吸收并减轻器件封装时产生的应力效应，进一步保护器件。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 空气 填充 降低 介电常数 大马士革 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用空气填充降低介电常数的大马士革结构，其特征在于：在大马士革结构中无金属互联布线的区域形成至少一个空腔(9)，空腔(9)的两侧为多层的大马士革介质层(1)和底部刻蚀阻挡层(2)，空腔(9)的顶部为顶部钝化光敏有机材料(7A)及金属钝化保护绝缘层(4)，空腔(9)底部和金属阻挡层(3A)之间有底部钝化光敏有机材料(7B)。
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