[发明专利]基于二维光子晶体的光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200510002913.8 申请日: 2005-01-26
公开(公告)号: CN1812211A 公开(公告)日: 2006-08-02
发明(设计)人: 胡小永;龚旗煌 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01S3/00 分类号: H01S3/00;H01S5/00;H01S4/00;G02F1/00;G02F1/35;G02B6/00;H01L33/00
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所 代理人: 贾晓玲
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种基于二维平面薄膜光子晶体的光二极管及其制备方法。属于光二极管技术领域。该光二极管包括一二维光子晶体和一可实现频率转换的晶体,二维光子晶体和实现频率转换的晶体通过波导连接。实现频率转换的晶体可以是普通的非线性倍频晶体,也可以是另一个二维光子晶体。如果入射激光正向传输,则入射光首先在现频率转换的晶体中发生倍频效应,产生的二倍频光可通过波导进入光子晶体,如果入射光反向传输,则入射激光首先进入光子晶体,由于光子带隙的作用,入射激光被全部反射回来而不能通过光子晶体,由此实现单向导通的光二极管。本发明制备简单、使用和测量方便,易于集成。
搜索关键词: 基于 二维 光子 晶体 二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种基于二维光子晶体的光二极管,包括一二维光子晶体,二维光子晶体为一刻蚀有周期性分布空气孔的一层介电薄膜,其特征在于:还包括一可实现频率转换的晶体,二维光子晶体和实现频率转换的晶体通过波导连接。
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