[发明专利]静态随机存取存储器单元及制造方法

摘要

一种具有P阱和N阱接触并且优选地具有接地的P+扩散的低成本SRAM(静态随机存取存储器)单元。该SRAM单元在M2金属层实现并且其单元通闸泄漏、功能和制造成品率得到改善。该SRAM单元包括交叉连接的pnp上拉装置P1、P2和npn下拉装置N1、N2，其中该P1、P2装置与电源VDD相连接，该N1、N2装置通过P+扩散区接地。第一通闸连接在第一位线和该装置P1和N1的接合点之间，并且其栅极连接到一字线上，第二通闸连接在第二位线和该装置P2和N2的接合点之间，并且其栅极连接到该字线上。

主权项

1.一种SRAM单元，其包括：交叉连接的pnp上拉装置P1、P2和npn下拉装置N1、N2，该P1、P2装置与电源VDD相连接；第一通闸，其连接在第一位线和装置P1和N1的接合点之间，其栅极与字线相连接；第二通闸，其连接在第二位线和装置P2、N2的接合点之间，其栅极与该字线相连接；并且其中该N1、N2装置通过P+扩散区域接地。