[发明专利]升压电路、电源电路以及液晶驱动装置有效

专利信息
申请号: 200510002301.9 申请日: 2005-01-17
公开(公告)号: CN1641985A 公开(公告)日: 2005-07-20
发明(设计)人: 西村元章 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07;H02J1/00;G09G3/36
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种升压电路、电源电路以及液晶驱动装置,其可以以简单结构快速地将积蓄在用于电荷泵工作的电容器上的电荷放掉。电荷泵电路(200)包括:MOS晶体管NSW1~NSW5,在n型MOS晶体管NSW1的一端上提供系统接地电源电压,而各晶体管则被串联连接;放电晶体管DSW1,其一端上提供系统接地电源电压GND,而另一端则连接在MOS晶体管NSW4、NSW5所连接的节点上,其可以由形成在p型半导体衬底上的三重势阱结构来实现。在正常工作时,MOS晶体管NSW5被设定为导通,而放电晶体管DSW1则被设定为关闭。在放电工作时,MOS晶体管NSW5被设定为关闭,而放电晶体管DSW1则被设定为导通,由寄生双极性晶体管元件形成电流通路。
搜索关键词: 升压 电路 电源 以及 液晶 驱动 装置
【主权项】:
1.一种升压电路,其利用由电荷泵工作而积蓄在电容器上的电荷生成升压电压,其特征在于,包括:第一晶体管~第N晶体管,其中,N为大于等于2的整数,用于进行电荷泵工作,在所述第一晶体管的一端上提供第一电压,而各晶体管被串联连接;放电晶体管,其一端被提供所述第一电压或大于所述第一电压的第二电压,而另一端连接在第(k-1)晶体管以及第k晶体管所连接的节点上,其中,k为大于等于2且小于等于N的整数,所述第一晶体管~第N晶体管形成在p型第一势阱区~第N势阱区,而所述p型第一势阱区~第N势阱区则设置在p型半导体衬底的n型势阱区上,在所述n型势阱区上,对所述第一势阱区~第N势阱区施加反向偏压,所述第一势阱区~第N势阱区的各势阱区,具有n型源区以及漏区,所述第一晶体管~第N晶体管的各栅极,通过绝缘膜设置在所述源区以及漏区之间的沟道区上,在所述第一势阱区的漏区上提供所述第一电压的同时,第(m-1)势阱区的源区电连接在第m势阱区的漏区,其中,2≤m≤N,m为整数,而所述第N势阱区的源区电压则作为所述升压电压输出,在正常工作时,所述第k晶体管~第N晶体管被设置为导通状态,而所述放电晶体管则被设置为非导通状态,通过利用所述第一晶体管~第(k-1)晶体管的电荷泵工作生成所述升压电压,在放电工作时,所述第k晶体管~第N晶体管被设置为非导通状态,而所述放电晶体管则被设置为导通状态,而由第一势阱区~第(k-1)势阱区的各势阱区、设置在该各势阱区的各漏区以及由所述n型势阱区形成的第一寄生双极晶体管元件~第(k-1)寄生双极晶体管元件,形成电流通路。
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