[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200510001718.3 | 申请日： | 2005-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1641887A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 宇野友彰;白石正树;松浦伸悌;佐藤幸弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;G06F1/26;H01L25/07;H01L25/18;H02M3/155;H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提高了半导体器件的电压转换效率。在包括串联连接的高端开关功率MOSFET和低端开关功率MOSFET的非隔离DC－DC转换器中，在一个半导体芯片之中形成高端开关功率MOSFET和用于驱动高端和低端开关功率MOSFET的驱动器电路，而在另一个半导体芯片中形成低端开关功率MOSFET。在一个单一封装中密封两个半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：树脂密封体；第一电源端子，其暴露于所述树脂密封体之外以便提供第一电源电位；第二电源端子，其暴露于所述树脂密封体之外以便提供第二电源电位，所述第二电源电位低于所述第一电源电位；控制端子，其暴露于所述树脂密封体之外以便提供控制信号；输出端子，其暴露于所述树脂密封体之外；第一场效应晶体管，它的源-漏通道串联连接在所述第一电源端子和所述输出端子之间；第二场效应晶体管，它的源-漏通道串联连接在所述输出端子和所述第二电源端子之间；第一控制电路，其连接到所述控制端子，以便用所述控制信号来控制所述第一场效应晶体管的栅电极；以及第二控制电路，其连接到所述控制端子，以便用所述控制信号来控制所述第二场效应晶体管的栅电极，其中由第一半导体芯片形成所述第一场效应晶体管和所述第一控制电路；其中由第二半导体芯片形成所述第二场效应晶体管，所述第二半导体芯片不同于所述第一半导体芯片；以及其中在所述树脂密封体中密封所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片。
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