[发明专利]清洁反应室的方法无效
| 申请号： | 200510000591.3 | 申请日： | 2005-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1644251A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 张简旭珂;陈圣文;张宏睿;张振凉;王英郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B9/08 | 分类号： | B08B9/08;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露一种适于清洁一反应室内部表面的方法，且本发明对于将化学气相沉积室的内部表面上的氮化硅以及氧化硅残余物移除特别有效。该方法包括将三氟化氮气体与氧化亚氮气体于一等离子体中反应以产生一氧化氮与氟自由基；而由于自氧化亚氮所产生的一氧化氮自由基密度的增加将使得腔室内部表面的残余物的蚀刻以及移除率增加，因而可减少所需用于有效且迅速执行腔室清洁的三氟化氮数量。 | ||
| 搜索关键词： | 清洁 反应 方法 | ||
【主权项】：
1.一种清洁反应室的方法，包括下列步骤：提供一气体混合物，其包含氧化亚氮以及三氟化氮，其中一氧化亚氮/三氟化氮的体积比至少为0.2；引入该气体混合物至该反应室；以及以该气体混合物产生一等离子体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510000591.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
