[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，能缩短半导体器件的交货期。在掩模基板(2)的主面上形成由抗蚀剂膜构成的遮光膜(5)、以及通过使该遮光膜(5)的一部分形成开口而形成的光透射图形(6a)，覆盖该遮光膜(5)地形成平坦性膜(8)，然后，在该平坦性膜(8)的平坦的上面上形成由抗蚀剂膜构成的移相器(7a)。在曝光时，采用相同的尺寸、形状和配置的掩模图形，将使移相器反转地配置的多个转印区域在同一位置上进行重叠曝光。由此，把线图形转印到半导体晶片上的正性的抗蚀剂膜上。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：(a)在晶片的主面上形成光致抗蚀剂膜的步骤，以及(b)对上述晶片实施使用了掩模的缩小投影曝光处理，由此将所要的图形转印到上述光致抗蚀剂膜的步骤；其中，上述掩模包括：具有第1面及其相反一侧的第2面的掩模基板，在上述掩模基板的第1面上形成的由抗蚀剂构成的遮光膜，在上述由抗蚀剂构成的遮光膜上形成了开口的光透射区域，形成在上述掩模基板的第1面上，以覆盖上述由抗蚀剂构成的遮光膜的平坦性膜，以及在上述平坦性膜上形成的由抗蚀剂构成的移相器；上述平坦性膜埋入在为了形成上述光透射区域而在上述由抗蚀剂构成的遮光膜上形成了开口的部分，使得在上述光透射区域内透过的光的相位的误差在允许范围内。