[发明专利]芯片构装基板金手指与接触垫电镀镍金制程无效
申请号: | 200510000194.6 | 申请日: | 2005-01-06 |
公开(公告)号: | CN1801469A | 公开(公告)日: | 2006-07-12 |
发明(设计)人: | 方照贤;林光华;颜怡锋 | 申请(专利权)人: | 健鼎科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/10;H05K3/00;H01L21/60;H01L23/12;H01L23/50 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郝庆芬 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种一阶构装基板的制程方法,该制程方法适用于需要基板两面有不同金属处理的应用(例如memory module card的构装)。本发明最主要的特征是先在基板的上表面以酸性蚀刻的方式形成线路,再在基板的下表面以第二次的影像转移而定义所需电镀的金手指部分,然后先在金手指部分以电镀方式镀上镍金层,再在接触垫上以电镀方式镀上镍金层。本发明所提出的制程方法,以无电镀导线的方式在接触垫与金手指上以电镀方式镀上镍金层,可以增加基板表面有效的布线面积,同时避免因为布设电镀导线而导致的噪声干扰。 | ||
搜索关键词: | 芯片 构装基板金 手指 接触 电镀 镍金制程 | ||
【主权项】:
1.一种芯片构装基板金手指与接触垫电镀镍金制程,至少包括下列步骤:提供一基板,该基板的上下表面分别已布设一线路层,并具有多个导通孔;在该基板的上表面,以一第一次影像转移程序以及一酸性蚀刻程序形成一导体线路;在该基板的下表面,以一第二次影像转移程序而定义出需要镀镍金的一金手指区域;以电镀的方式,在该金手指区域镀上一第一镍金层;移除该第二次影像转移的光致抗蚀剂;以一第三次影像转移程序,以及一碱性蚀刻程序而定义出需要镀镍金的一接触垫区域;以及以电镀的方式,在该接触垫区域,镀上一第二镍金层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于健鼎科技股份有限公司,未经健鼎科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510000194.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法
- 下一篇:辐射交联聚烯烃发泡设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造