[发明专利]施加偏压至储存器件的方法与装置无效
| 申请号： | 200480044705.8 | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101091223A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 加藤健太;古山孝昭 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在步骤1中，施加偏压(ON)至所有直列Z1(0)至Z1(2)。关于横列，不施加偏压(OFF)至有不良区段存在之横列Z2(0)并且施加偏压(ON)至其它的横列Z2(1)与Z2(2)。在横列Z2(1)与Z2(2)的区段上，施加电压应力且进行访问操作。在步骤2中，关于所述直列，不施加偏压(OFF)至有不良区段存在的直列Z1(1)且施加偏压(ON)至其它的直列Z1(0)与Z1(2)。关于所述横列，施加偏压(ON)至有不良区段存在的横列Z2(0)，且不施加偏压(OFF)至其它的横列Z2(1)与Z2(2)。至于这两个步骤，可将电压应力施加至除了不良区段以外的区段一次。 | ||
| 搜索关键词： | 施加 偏压 储存 器件 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种包含存储区块群的储存器件，其中所述存储区块为待访问的基本单位且沿着第一方向和第二方向中的至少一个方向展开配置，该第一方向与该第二方向彼此交叉，该储存器件包含：第一电压控制部件，耦合至沿着该第一方向排列的各列以控制施加至同列的偏压；以及第二电压控制部件，耦合至沿着该第二方向排列的各列以控制施加至同列的偏压，其中除了任何不良的存储区块以外，同时访问所述存储区块的至少两个，所述存储区块配置在所述由第一电压控制部件所控制施加的、沿着该第一方向排列的列与所述由第二电压控制部件所控制施加的、沿着该第二方向排列的列的交叉部分。
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