[发明专利]用作金属间电介质的低k和超低k有机硅酸盐膜的疏水性的恢复

摘要

通常用于降低集成电路中RC延迟的是多孔有机硅酸盐的电介质膜，该有机硅酸盐含有二氧化硅状主链与直接连接到网络中S∶L原子的烷基或芳基(以对材料增加疏水性和产生自由体积)。Si－R键很少幸免于对等离子体或通常用于加工的化学处理的曝露；在具有开孔结构的材料中特别是这样的。当Si－R键断裂时，材料由于亲水性硅烷醇的形成而损失疏水性和损害低介电常数。使用新颖类别的硅烷化剂恢复材料的疏水性的方法，该硅烷化剂具有通式(R₂N)_XSiR’_Y，其中X和Y分别是1－2和3－2的整数，和其中R和R’选自氢、烷基、芳基、烯丙基、苯基和乙烯基部分。多孔有机硅酸盐的机械强度也由于甲硅烷基化处理而改进。

主权项

1.恢复低k或非常低介电常数有机硅酸盐膜的性能的方法，该膜含有连接到硅原子的氢原子或烷基或芳基，和用于半导体芯片、或芯片载体、或半导体晶片中的低或非常低介电常数绝缘层，其中该有机硅酸盐膜经历倾向于劣化性能的加工，该方法包括：向膜施加包括氨基硅烷的硅烷化剂，以使膜为疏水性的。