[发明专利]雪崩光电二极管

摘要

在备有具备第1电极和电连接到该第1电极上的由第1导电型构成的第1半导体层的衬底的雪崩光电二极管中，配置成在上述衬底上至少层叠了雪崩倍增层、光吸收层和能带隙比上述光吸收层的能带隙大的第2半导体层，在上述第2半导体层内形成第2导电型导电区域并将上述第2导电型导电区域电连接到第2电极上。利用该结构可用简易的工序提供低暗电流且长期可靠性高的雪崩光电二极管。此外，留下上述第2导电型导电区域和第2导电型导电区域的周围的第2半导体层，除去在其外周的衬底上层叠的层中的至少光吸收层，从而形成上述光吸收层的侧面。利用该结构可进一步减少暗电流。

主权项

1.一种雪崩光电二极管，其特征在于：具有衬底，该衬底具有第1电极和电连接到该第1电极的由第1导电型构成的第1半导体层，在上述衬底上至少层叠了雪崩倍增层、光吸收层和能带隙比上述光吸收层大的第2半导体层，在上述第2半导体层内形成第2导电型导电区域，将上述第2导电型导电区域电连接到第2电极上。