[发明专利]产生感测信号的半导体装置及方法有效

专利信息
申请号: 200480044077.3 申请日: 2004-07-30
公开(公告)号: CN101027730A 公开(公告)日: 2007-08-29
发明(设计)人: 中井努;赤荻隆男;黑崎一秀 申请(专利权)人: 斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司
主分类号: G11C16/28 分类号: G11C16/28
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种半导体装置,包含有:第一串叠电路,包含有放大流经参考单元的数据线的参考电流的第一电流镜,以及通过该参考电流产生第一电位的第二电流镜;以及第二串叠电路,包含有放大流经核心单元的数据线的核心单元电流的第三电流镜,以及接收来自上述第二电流镜的参考电流以作为栅极电压,并根据该核心单元电流与该参考电流间的差值产生第二电位的晶体管。由于第二电位由核心单元电流与参考单元电流间的差值所产生,故可在电源电位与接地电位的全区域内产生第二电位。能有效地使用电源电压振幅的范围。亦可感测微弱的电流界限。
搜索关键词: 产生 信号 半导体 装置 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,包含有:第一串叠电路,包含有放大流经参考单元的数据线的参考电流的第一电流镜,以及通过放大后的该参考电流来产生第一电位的第二电流镜;以及第二串叠电路,包含有放大流经核心单元的数据线的核心单元电流的第三电流镜,以及接收与前述第二电流镜所放大的前述参考电流相对应的电压作为栅极电压,并根据该第三电流镜所放大的该核心单元电流与放大的该参考电流间的差值来产生第二电位的晶体管。
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