[发明专利]平面型雪崩光电二极管有效
| 申请号： | 200480043236.8 | 申请日： | 2004-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101036216A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 柯呈佶;巴里·莱维尼 | 申请（专利权）人： | 派克米瑞斯有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种平面型雪崩光电二极管，包括装置上部的小的局部接触层、和定义下部接触区的半导体层，该局部接触层或者由扩散工艺或者由蚀刻工艺制造。半导体倍增层位于该两接触区之间，而半导体吸收层位于倍增层和上部接触层之间。该光电二极管在半导体倍增层和吸收层边缘附近，有低的电容和低的场。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 雪崩 光电二极管 | ||
【主权项】：
1.一种平面型雪崩光电二极管，包括：第一接触层；有扩散区的第一半导体层，该扩散区有比第一半导体层更小的面积，并且其位置邻近第一接触层；定义第二接触层的第二半导体层；位于第一和第二接触层之间的半导体倍增层；和位于半导体倍增层和第一半导体层之间的半导体吸收层，该光电二极管在吸收层和倍增层边缘附近，有低的电容和低的场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
