[发明专利]涂敷·显影装置和涂敷·显影方法有效
| 申请号： | 200480042660.0 | 申请日： | 2004-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1926662A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 山本太郎;京田秀治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种涂敷·显影装置和涂敷·显影方法。在对应用液浸曝光的基板进行处理时，抑制从抗蚀剂溶出的成分的影响，从而进行高精度且面内均匀性高的涂敷、显影。构成为由涂敷单元在基板的表面涂敷抗蚀剂，然后利用第1清洗机构例如清洗喷嘴来清洗基板，之后再进行曝光。在该情况下，即使当曝光时在基板的表面形成使光透过的液层，由于从抗蚀剂溶出的成分较少，所以也可以进行线宽精度高的曝光处理，作为结果，可以在显影后的基板上形成精度高且面内均匀性高的抗蚀剂图形。 | ||
| 搜索关键词： | 涂敷 显影 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种涂敷、显影装置，其特征在于，具备：涂敷单元，在基板的表面上涂敷抗蚀剂；显影单元，对在基板的表面形成使光透过的液层的状态下曝光后的基板进行显影处理；和第1清洗机构，用于在曝光前利用清洗液对涂敷有抗蚀剂的基板的表面进行清洗。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480042660.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
