[发明专利]半导体存储器有效
| 申请号： | 200480042349.6 | 申请日： | 2004-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1926634A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 川畑邦范;大塚修三 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器。使局部区域包括沿一个方向配置的存储块中的两端的存储块。由于用于使两端的存储块动作的控制电路的一部分不被其它的存储块共用，所以将控制电路与存储块连接的开关电路可始终设定在导通状态。无需对开关电路的导通/截止控制，所以因两端的存储块的存取而引起的功耗小于其它存储块。因此，通过使局部区域包括两端的存储块，能够削减局部刷新模式中的功耗(待机电流)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器具备：3个以上的存储块，所述3个以上的存储块具有动态存储单元，且所述3个以上的存储块沿一个方向配置，不同时动作；控制电路，其分别配置在相互相邻的存储块之间，被这些相邻的存储块共用，与相邻的存储块中的一方的动作同步地动作；控制电路，其分别配置在配置于所述一个方向的两端的存储块的外侧，分别与这些存储块的动作同步地动作；开关电路，其使所述各控制电路与和该控制电路相邻的所述存储块连接；以及动作控制电路，在仅保持所述存储单元的部分数据的局部刷新模式中，所述动作控制电路使与位于所述两端的存储块的外侧的所述控制电路对应的开关电路始终导通，表示在所述局部刷新模式中执行刷新动作的存储块的局部区域，被设定为包括所述两端的存储块。
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