[发明专利]电容式MEMS元件及其制造方法、高频装置无效
| 申请号： | 200480042067.6 | 申请日： | 2004-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1922755A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 寺野昭久;矶部敦 | 申请（专利权）人： | 日立视听媒体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/12 | 分类号： | H01P1/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供能得到对于高频信号良好的开关特性的电容式MEMS元件及其制造方法、安装有该元件的高性能高频装置。本发明的元件的代表例子为，电容式MEMS元件具有上下运动的由金属膜构成的上部电极，和位于与该上部电极相对的下部电极上的电介质膜上的导电层。并且，上部电极与下部电极相对的区域中存在电介质层上的导体层的区域的面积，小于等于该相对区域中不存在电介质层上的导电层的区域的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 mems 元件 及其 制造 方法 高频 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电容式MEMS元件，其特征在于：包括绝缘性衬底；在上述绝缘性衬底上形成的下部电极；在上述下部电极上形成的电介质层；在上述电介质层上形成的导体层；以及上部电极，与上述下部电极相对且至少与上述电介质层上的导体层有间隙地配置，进行对上述电介质层上的导体层的接触/非接触的控制，其中，上述电介质层上的导体层，从上述绝缘性衬底的垂直方向观察，形成在上述上部电极和上述下部电极相对的区域，使得其相对面积的一部分存在上述电介质层上的导体层，并且，上述上部电极和上述下部电极相对的区域中存在上述电介质层上的导体层的区域的面积，小于或等于该相对区域中不存在上述电介质层上的导体层的区域的面积。
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