[发明专利]用于减少等离子体反应器蚀刻速率漂移的温控热边缘环组件有效
| 申请号： | 200480041421.3 | 申请日： | 2004-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1914712A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 安德莱斯·费舍;彼得·罗文哈特 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B24B37/04;B24B41/06;B24B7/22;B24B5/00;B24B29/00;C23F1/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 适合在等离子体反应室中环绕衬底支架的温控热边缘环组件。该组件包含导电下环，陶瓷中间环，和上环。中间环在下环上面，适合通过下环粘结到RF电极。上环在中间环上面，其上表面暴露于等离子体反应室内部。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 等离子体 反应器 蚀刻 速率 漂移 温控 边缘 组件 | ||
【主权项】：
1.温控热边缘环组件，适合于环绕等离子体反应室中的半导体衬底支架，该组件包含：导电下环；陶瓷中间环，该中间环覆于下环之上，中间环适合于通过下环附着到RF电极；和上环，该上环覆于中间环之上，其中该上环具有暴露于等离子体反应室内部的上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
