[发明专利]用于无应力导体去除的系统和方法有效
| 申请号： | 200480041101.8 | 申请日： | 2004-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1906751A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | A·D·贝利三世;S·P·娄荷凯 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王小衡;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在包括接收构图的半导体衬底的双镶嵌结构中形成半导体的系统和方法。半导体衬底具有填充图形中的多个部件(102，104，106)的第一导电互连材料。第一导电互连材料具有过覆盖部分(112)。平坦化过覆盖部分。在平坦化处理中基本完全去除过覆盖部分。减少掩模层并在平坦化的过覆盖部分上形成后续介电层(1130)。在后续介电层上形成掩模。在后续介电层中形成一个或多个部件并且用第二导电互连材料填充。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 应力 导体 去除 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在双镶嵌结构中形成半导体的方法包括：接收具有填充图形中的多个部件的第一导电互连材料的构图的半导体衬底，第一导电互连材料具有过覆盖部分；平坦化过覆盖部分，在平坦化处理中基本完全去除过覆盖部分；减少掩模层；在平坦化的过覆盖部分上形成后续的介电层；在后续介电层上形成掩模；在后续介电层中形成一个或多个部件；以及用第二导电互连材料填充一个或多个部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
