[发明专利]利于高产量并包括蚀刻终止层和/或应力膜的置换栅流程无效
| 申请号： | 200480039529.9 | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1902740A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | R·仇;J·布拉斯克;C·巴恩斯;S·哈尔兰德 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;刘杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在晶体管结构之上沉积一个能够在晶体管内产生晶格应力并且使性能提高的层(710)。可以在形成于衬底上的多个晶体管之上，或者在多个选择的晶体管之上形成应力层。 | ||
| 搜索关键词： | 利于 产量 包括 蚀刻 终止 应力 置换 流程 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在衬底上形成牺牲栅电极；在牺牲栅电极的侧面上形成侧壁隔离体，形成牺牲中间层介电层；除去牺牲栅电极；沉积置换栅电极；对牺牲中间层介电层和置换栅电极进行抛光；和在中间层介电层和没在栅电极沟槽中的任何残留的栅电极材料上进行湿蚀刻去除。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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