[发明专利]具有金属和硅化物栅电极的CMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 200480039412.0 | 申请日： | 2004-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1902749A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | J·K·布拉斯克;M·L·多茨;J·卡瓦利罗斯;M·V·梅茨;C·E·巴恩斯;U·夏;S·达塔;C·D·托马斯;R·S·仇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了一种半导体器件以及形成它的方法。该半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属NMOS栅电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物PMOS栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 硅化物栅 电极 cmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制作半导体器件的方法，包括：在衬底的第一部分上形成金属NMOS栅电极；以及在衬底的第二部分上形成硅化物PMOS栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
