[发明专利]聚酰亚胺薄膜有效
申请号: | 200480038951.2 | 申请日: | 2004-12-27 |
公开(公告)号: | CN1898308A | 公开(公告)日: | 2007-01-17 |
发明(设计)人: | 堤正幸;前田乡司;河原惠造;吉田武史;冈本和丈;森野盛雄;上村彰一;永良哲庸;高桥则子;尾山宽子;仓原俊次;安井润 | 申请(专利权)人: | 东洋纺织株式会社 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08G73/22;H05K1/03;C08L29/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王旭 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 问题:为了提供一种聚酰亚胺薄膜,其适合用作电子元件的基材薄膜,在耐热性、刚性、高频特性方面优异并且还在热变形稳定性方面优异,使得即使当加热时在其上叠加各种功能层时也不会发生由于卷曲导致的故障。解决问题的手段:一种聚酰亚胺薄膜,其根据X射线衍射方法测量的沿面取向系数为0.79-0.89,该薄膜的一个主表面的表面沿面取向度与薄膜另一个主表面的表面沿面取向度之差不超过2,并且其中所述薄膜的卷曲度不超过5%,其是通过将具有特定酰亚胺化率的聚酰亚胺前体薄膜酰亚胺化得到的。 | ||
搜索关键词: | 聚酰亚胺 薄膜 | ||
【主权项】:
1.一种聚酰亚胺薄膜,其可以通过使芳族二胺与芳族四碳酸酐反应得到,所述的聚酰亚胺薄膜根据X射线衍射方法测量的沿面取向系数为0.79-0.89,并且根据空腔共振扰动法测量的介电常数在100GHz下为2.7-3.1。
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