[发明专利]静电卡盘和具有用于冷却晶片的冷却路径的卡盘座有效
| 申请号: | 200480038585.0 | 申请日: | 2004-12-22 |
| 公开(公告)号: | CN1898782A | 公开(公告)日: | 2007-01-17 |
| 发明(设计)人: | 朴熙龙;金珍泰;李圭夏;朴宽泰;吴尚瑛;张辉坤 | 申请(专利权)人: | 自适应等离子体技术公司 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 杨生平;杨红梅 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 在此公开一种静电卡盘,具有在其表面处形成的冷却通道。静电卡盘包括:卡盘座,用于支撑晶片;安装在卡盘座上的电介质膜,其具有电极,用于供给直流电压以提供固定晶片所必需的静电力,所述电极设置在电介质膜中;以及冷却通道,用于向电介质膜提供制冷剂以控制晶片的温度。所述冷却通道包括至少两个第一冷却通道部分,形成在对应于晶片边缘部分的电介质膜的表面处使得第一冷却通道部分形成同心圆,第二冷却通道部分形成在电介质膜的表面处使得第一冷却通道部分通过第二冷却通道部分彼此连接,第一贯穿通道,贯通电介质膜而形成,用于将制冷剂提供到第一和第二冷却通道部分,以及第二贯穿通道,贯通电介质膜的中心而形成,用于将制冷剂提供到晶片的中心。 | ||
| 搜索关键词: | 静电 卡盘 具有 用于 冷却 晶片 路径 | ||
【主权项】:
1.一种静电卡盘包括:卡盘座,用于支撑晶片;电介质膜,安装在所述卡盘座上,所述电介质膜具有电极,用于提供直流电压以提供固定所述晶片所必需的静电力,所述电极设置在所述电介质膜中;以及冷却通道,用于向所述电介质膜提供制冷剂以控制所述晶片的温度,所述冷却通道包括:至少两个第一冷却通道部分,形成在对应于所述晶片的边缘部分的所述电介质膜的表面处,使得所述第一冷却通道部分形成同心圆;第二冷却通道部分,形成在所述电介质膜的表面处使得所述第一冷却通道部分通过所述第二冷却通道部分彼此连接;第一贯穿通道,穿过所述电介质膜而形成,用于将所述制冷剂提供到所述第一和第二冷却通道部分;以及第二贯穿通道,穿过所述电介质膜的中心而形成,用于将所述制冷剂提供到所述晶片的中心。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于自适应等离子体技术公司,未经自适应等离子体技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480038585.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有光学深度效应的显示装置
- 下一篇:含有氧化铝和氧化铈的电灯
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





